AP9408GM - описание и поиск аналогов

 

AP9408GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9408GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9408GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9408GM даташит

 ..1. Size:169K  ape
ap9408gm.pdfpdf_icon

AP9408GM

AP9408GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9408 series are from

 0.1. Size:59K  ape
ap9408gm-hf.pdfpdf_icon

AP9408GM

AP9408GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of f

 7.1. Size:99K  ape
ap9408gh ap9408gj.pdfpdf_icon

AP9408GM

AP9408GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 57A S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

 8.1. Size:94K  ape
ap9408agm-hf.pdfpdf_icon

AP9408GM

AP9408AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D D Fast Switching Characteristic ID 12.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие MOSFET... AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH , AP20T03GJ , AP4578GH , AP4430GM , AP9420GM , AO3400 , AP0403GM , AP0603GM , AP0903GM , AP10TN030M , AP10TN135M , AP15P15GM , AP15T15GM , AP15TP1R0M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.