AP0603GM - описание и поиск аналогов

 

AP0603GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP0603GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP0603GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0603GM даташит

 ..1. Size:216K  ape
ap0603gm.pdfpdf_icon

AP0603GM

AP0603GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m D Fast Switching Characteristic ID 16.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP0603 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

 0.1. Size:94K  ape
ap0603gm-hf.pdfpdf_icon

AP0603GM

AP0603GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m D Fast Switching Characteristic ID 16.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 7.1. Size:193K  ape
ap0603gh.pdfpdf_icon

AP0603GM

AP0603GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP0603 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest poss

 7.2. Size:93K  ape
ap0603gh-hf.pdfpdf_icon

AP0603GM

AP0603GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 72A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D

Другие MOSFET... AP9977GJV , AP20T03GH , AP20T03GJ , AP4578GH , AP4430GM , AP9420GM , AP9408GM , AP0403GM , IRF3710 , AP0903GM , AP10TN030M , AP10TN135M , AP15P15GM , AP15T15GM , AP15TP1R0M , AP18P10GM , AP20T15GM .

History: AP15P15GM | AP2306GN | WSF4012 | CJQ4406

 

 

 

 

↑ Back to Top
.