Справочник MOSFET. AP4407GM

 

AP4407GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP4407GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP4407GM

 

 

AP4407GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ape
 ap4407gm.pdf

AP4407GM AP4407GM

AP4407GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS -30V Simple Drive Requirement DD D RDS(ON) 14m Low On-resistance D ID -10.7A Fast Switching G RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8SDDescriptionAP4407 series are from Advanced Pow

 0.1. Size:208K  ape
 ap4407gm-hf.pdf

AP4407GM AP4407GM

AP4407GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 14mD Fast Switching ID -10.7AG RoHS Compliant SSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized d

 7.1. Size:98K  ape
 ap4407gp-hf ap4407gs-hf.pdf

AP4407GM AP4407GM

AP4407GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, rugge

 7.2. Size:218K  ape
 ap4407gp ap4407gs.pdf

AP4407GM AP4407GM

AP4407GS/PRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design,DS TO-263(

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top