Справочник MOSFET. AP4407GM

 

AP4407GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4407GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4407GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4407GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ape
ap4407gm.pdfpdf_icon

AP4407GM

AP4407GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS -30V Simple Drive Requirement DD D RDS(ON) 14m Low On-resistance D ID -10.7A Fast Switching G RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8SDDescriptionAP4407 series are from Advanced Pow

 0.1. Size:208K  ape
ap4407gm-hf.pdfpdf_icon

AP4407GM

AP4407GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 14mD Fast Switching ID -10.7AG RoHS Compliant SSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized d

 7.1. Size:98K  ape
ap4407gp-hf ap4407gs-hf.pdfpdf_icon

AP4407GM

AP4407GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, rugge

 7.2. Size:218K  ape
ap4407gp ap4407gs.pdfpdf_icon

AP4407GM

AP4407GS/PRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design,DS TO-263(

Другие MOSFET... AP3P010M , AP3P028LM , AP3P050M , AP3P7R0EM , AP3P9R0M , AP4024EM , AP4028EM , AP4034GM , 8205A , AP4423GM , AP4426GM , AP4438CGM , AP4453M , AP4800GEM , AP4P018M , AP6679BGM , AP6N021M .

History: IRFIBC30GPBF | STFW1N105K3 | STP16NE06FP | JCS3910V | 2SK1180 | SRC60R068BSTL | SI7461DP

 

 
Back to Top

 


 
.