AP4407GM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP4407GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4407GM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4407GM даташит
ap4407gm.pdf
AP4407GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS -30V Simple Drive Requirement D D D RDS(ON) 14m Low On-resistance D ID -10.7A Fast Switching G RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 S D Description AP4407 series are from Advanced Pow
ap4407gm-hf.pdf
AP4407GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 14m D Fast Switching ID -10.7A G RoHS Compliant S S SO-8 S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G the best combination of fast switching, ruggedized d
ap4407gp-hf ap4407gs-hf.pdf
AP4407GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge
ap4407gp ap4407gs.pdf
AP4407GS/P RoHS-compliat Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G the best combination of fast switching, ruggedized device design, D S TO-263(
Другие MOSFET... AP3P010M , AP3P028LM , AP3P050M , AP3P7R0EM , AP3P9R0M , AP4024EM , AP4028EM , AP4034GM , IRFP260 , AP4423GM , AP4426GM , AP4438CGM , AP4453M , AP4800GEM , AP4P018M , AP6679BGM , AP6N021M .
History: AP9973GJ | IRFS440B | AP9926GEO | MMD80R1K2PRH | 2SK2371 | MMF60R360QTH | AP03N90I
History: AP9973GJ | IRFS440B | AP9926GEO | MMD80R1K2PRH | 2SK2371 | MMF60R360QTH | AP03N90I
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r




