AP9479GM - описание и поиск аналогов

 

AP9479GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9479GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9479GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9479GM даташит

 ..1. Size:171K  ape
ap9479gm.pdfpdf_icon

AP9479GM

AP9479GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS 60V Simple Drive Requirement D D RDS(ON) 45m Lower Gate Charge D D ID 5.6A Fast Switching Characteristic G RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 S Description D AP9479 series are fro

 0.1. Size:98K  ape
ap9479gm-hf.pdfpdf_icon

AP9479GM

AP9479GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 45m D D Fast Switching Characteristic ID 5.6A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 9.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9479GM

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 9.2. Size:217K  ape
ap9476gm.pdfpdf_icon

AP9479GM

AP9476GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m D D Fast Switching Characteristic ID 7.8A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

Другие MOSFET... AP6P090M , AP9408AGM , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM , AP9475GM , AO4407 , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM .

History: AP2301AGN | AP5N2K2EN1 | AP2530GY | AP99T03GP | STF140N8F7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.