Справочник MOSFET. AP9487GM

 

AP9487GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9487GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP9487GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9487GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ape
 ap9487gm.pdf pdf_icon

AP9487GM

AP9487GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 85mD Fast Switching Characteristic ID 4AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSO-8 SDescriptionDAP9487 series are from Advan

 0.1. Size:59K  ape
 ap9487gm-hf.pdf pdf_icon

AP9487GM

AP9487GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 85mD Fast Switching Characteristic ID 4AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSO-8 SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast s

Другие MOSFET... AP9408AGM , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , 18N50 , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM .

 

 
Back to Top

 


 
.