AP9487GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP9487GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SO8
AP9487GM Datasheet (PDF)
ap9487gm.pdf
AP9487GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 85mD Fast Switching Characteristic ID 4AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSO-8 SDescriptionDAP9487 series are from Advan
ap9487gm-hf.pdf
AP9487GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 85mD Fast Switching Characteristic ID 4AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSO-8 SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast s
Другие MOSFET... AP9408AGM , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , IRFP250 , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918