AP9487GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP9487GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP9487GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9487GM даташит

 ..1. Size:170K  ape
 ap9487gm.pdf pdf_icon

AP9487GM

AP9487GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 85m D Fast Switching Characteristic ID 4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S Description D AP9487 series are from Advan

 0.1. Size:59K  ape
 ap9487gm-hf.pdf pdf_icon

AP9487GM

AP9487GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 85m D Fast Switching Characteristic ID 4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast s

Другие IGBT... AP9408AGM, AP9410AGM, AP9434GM, AP9467AGM, AP9467GM, AP9470GM, AP9475GM, AP9479GM, BS170, AP9563GM, AP9620AGM, AP9620GM, AP9685GM, AP10A185M, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM