Справочник MOSFET. IRFF110

 

IRFF110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFF110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 25(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO39

 Аналог (замена) для IRFF110

 

 

IRFF110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  international rectifier
 2n6782 irff110.pdf

IRFF110 IRFF110

PD - 90423CIRFF110REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6782THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF110 100V .60 3.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

 9.1. Size:131K  international rectifier
 irff130.pdf

IRFF110 IRFF110

PD - 90430CIRFF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6796THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF130 100V 0.18 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin

 9.2. Size:131K  international rectifier
 2n6788 irff120.pdf

IRFF110 IRFF110

PD - 90426CIRFF120REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6788HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6788THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF120 100V 0.30 6.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin

 9.3. Size:99K  international rectifier
 irff1xx irff2xx irff3xx irff4xx 2n678x 2n679x 2n680x.pdf

IRFF110

 9.4. Size:224K  inchange semiconductor
 irff130.pdf

IRFF110 IRFF110

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFF130FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

Другие MOSFET... IRFE9024 , IRFE9110 , IRFE9120 , IRFE9130 , IRFE9210 , IRFE9220 , IRFE9230 , IRFF024 , IRLB4132 , IRFF120 , IRFF130 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFF310 , IRFF320 , IRFF330 .

 

 
Back to Top