AP4232GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4232GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4232GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4232GM даташит

 ..1. Size:169K  ape
 ap4232gm.pdf pdf_icon

AP4232GM

AP4232GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free S2 G1 SO-8 S1 Description AP4232 series are fro

 0.1. Size:207K  ape
 ap4232gm-hf.pdf pdf_icon

AP4232GM

AP4232GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8A G2 RoHS Compliant S2 G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switchi

 8.1. Size:178K  ape
 ap4232agm.pdf pdf_icon

AP4232GM

AP4232AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 23m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

 8.2. Size:93K  ape
 ap4232bgm-hf.pdf pdf_icon

AP4232GM

AP4232BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 7.6A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 S2 designer with the best combination o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, 8N60, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM