AP4511GM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP4511GM 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SO8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP4511GM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4511GM даташит
ap4511gm.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2 D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)
ap4511gm-hf.pdf
AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC pr
ap4511gh.pdf
AP4511GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2 designer with
ap4511gh-hf.pdf
AP4511GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D1/D2 N-CH BVDSS 35V Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -35V G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the d
Другие IGBT... AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, IRFB31N20D, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM, AP5322GM, AP6A100M
History: PZ513BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a








