AP4511GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4511GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4511GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4511GM даташит

 ..1. Size:201K  ape
ap4511gm.pdfpdf_icon

AP4511GM

AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 35V Simple Drive Requirement D2 D2 RDS(ON) 25m Low On-resistance D1 D1 ID 7A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)

 0.1. Size:85K  ape
ap4511gm-hf.pdfpdf_icon

AP4511GM

AP4511GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 25m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 40m Description ID -6.1A Advanced Power MOSFETs from APEC pr

 7.1. Size:195K  ape
ap4511gh.pdfpdf_icon

AP4511GM

AP4511GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2 designer with

 7.2. Size:121K  ape
ap4511gh-hf.pdfpdf_icon

AP4511GM

AP4511GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D1/D2 N-CH BVDSS 35V Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -35V G2 RDS(ON) 48m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the d

Другие IGBT... AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, IRFB31N20D, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM, AP5322GM, AP6A100M