AP4525GEM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4525GEM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4525GEM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4525GEM даташит

 ..1. Size:202K  ape
ap4525gem.pdfpdf_icon

AP4525GEM

AP4525GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 40V Simple Drive Requirement D2 D2 D1 RDS(ON) 28m Low On-resistance D1 ID 6A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V G1 S1 SO-8 RDS(ON

 0.1. Size:124K  ape
ap4525gem-hf.pdfpdf_icon

AP4525GEM

AP4525GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6A G2 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 42m Description ID -5A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 6.1. Size:115K  ape
ap4525geh-hf.pdfpdf_icon

AP4525GEM

AP4525GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 42m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

 6.2. Size:192K  ape
ap4525geh.pdfpdf_icon

AP4525GEM

AP4525GEH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15A S1 G1 S2 P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 42m TO-252-4L Description ID -12A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the b

Другие IGBT... AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM, AP4513GM, IRF1405, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM, AP5322GM, AP6A100M, AP6C036M, AP6C072M