Справочник MOSFET. AP4525GEM

 

AP4525GEM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP4525GEM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP4525GEM

 

 

AP4525GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ape
 ap4525gem.pdf

AP4525GEM AP4525GEM

AP4525GEM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 40V Simple Drive Requirement D2D2D1 RDS(ON) 28m Low On-resistance D1 ID 6A Fast Switching Performance G2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON

 0.1. Size:124K  ape
 ap4525gem-hf.pdf

AP4525GEM AP4525GEM

AP4525GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6AG2S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG1S1SO-8RDS(ON) 42mDescription ID -5AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesi

 6.1. Size:115K  ape
 ap4525geh-hf.pdf

AP4525GEM AP4525GEM

AP4525GEH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the

 6.2. Size:192K  ape
 ap4525geh.pdf

AP4525GEM AP4525GEM

AP4525GEHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 15AS1G1S2P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 42mTO-252-4LDescription ID -12AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the b

 6.3. Size:1242K  cn vbsemi
 ap4525geh.pdf

AP4525GEM AP4525GEM

AP4525GEHwww.VBsemi.twN- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNELd 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) 40 - 40RDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 0.014RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.016 0.016APPLICATIONSID (A) 50 - 50 CCFL InverterConfiguration N- and P-PairTO-252-4L D-PAK D1/D2 D1/D2 Top V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top