Справочник MOSFET. AP9970GK

 

AP9970GK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9970GK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9970GK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  ape
 ap9970gk.pdf pdf_icon

AP9970GK

AP9970GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 50mS Fast Switching Characteristic ID 5.8AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switch

 0.1. Size:58K  ape
 ap9970gk-hf.pdf pdf_icon

AP9970GK

AP9970GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 50mS Fast Switching Characteristic ID 5.8AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switch

 7.1. Size:94K  ape
 ap9970gp-hf.pdf pdf_icon

AP9970GK

AP9970GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.2m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 240AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resist

 7.2. Size:92K  ape
 ap9970gi-hf.pdf pdf_icon

AP9970GK

AP9970GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.2m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 100AGSDescriptionAP9970 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-Gresistance and fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MS65R190RF1 | GSM4172WS | 2SK3572-Z | WMB060N10LGS | SSM95T06GS | PMN30UN | IPD14N06S2-80

 

 
Back to Top

 


 
.