AP09T10GK - описание и поиск аналогов

 

AP09T10GK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP09T10GK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AP09T10GK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09T10GK даташит

 ..1. Size:165K  ape
ap09t10gk.pdfpdf_icon

AP09T10GK

AP09T10GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 2.1A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switchin

 0.1. Size:38K  ape
ap09t10gk-hf-pre.pdfpdf_icon

AP09T10GK

AP09T10GK-HF Preliminary Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Chage RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 2.4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the S The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

 6.1. Size:48K  ape
ap09t10gh-hf.pdfpdf_icon

AP09T10GK

AP09T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 4.4A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provi

 6.2. Size:48K  ape
ap09t10gp-hf.pdfpdf_icon

AP09T10GK

AP09T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 300m Fast Switching Characteristic ID 4.4A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provi

Другие MOSFET... AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM , AP9971AGM , AP9971GM , AP9975GM , AP9970GK , IRFZ44N , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , APA2N70K .

History: AP30T10GK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.