IRFF310 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFF310
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO39
IRFF310 Datasheet (PDF)
2n6786 irff310.pdf
PD - 90425CIRFF310REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6786HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6786THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF310 400V 3.6 1.25AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin
2n6792 irff320.pdf
PD -90428CIRFF320REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6792HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6792THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF320 400V 1.8 2.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing
2n6800 irff330.pdf
PD - 90432CIRFF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6800THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF330 400V 1.0 3.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing
irff30b irff30c.pdf
RoHS IRFF30 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET3.6A, 900VoltsDESCRIPTIOND The Nell IRFF30 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 3.6A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 900V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as
Другие MOSFET... IRFE9230 , IRFF024 , IRFF110 , IRFF120 , IRFF130 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFP260 , IRFF320 , IRFF330 , IRFF420 , IRFF430 , IRFF9024 , IRFF9110 , IRFF9120 , IRFF9130 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918