AP2N030EN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2N030EN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2N030EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N030EN даташит

 ..1. Size:189K  ape
 ap2n030en.pdf pdf_icon

AP2N030EN

AP2N030EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 35m Fast Switching Performance ID 5.3A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 6.1. Size:210K  ape
 ap2n030ey.pdf pdf_icon

AP2N030EN

AP2N030EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 34m D Fast Switching Performance ID3 6.3A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology

 9.1. Size:189K  ape
 ap2n075en.pdf pdf_icon

AP2N030EN

AP2N075EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N075E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.2. Size:132K  ape
 ap2n050g.pdf pdf_icon

AP2N030EN

AP2N050G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP2N050 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP5600N, AP60PN72REN, AP60PN72RLEN, AP15TN1R5N, AP2309GEN, AP2321GN, AP2325GEN, AP2N025LN, IRF4905, AP2N075EN, AP2P052N, AP2P053N, AP3601N, AP3N028EN, AP3N035N, AP3N045EN, AP3P080N