Справочник MOSFET. AP2318GEN

 

AP2318GEN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2318GEN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2318GEN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ape
ap2318gen.pdfpdf_icon

AP2318GEN

AP2318GENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2318 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t

 0.1. Size:97K  ape
ap2318gen-hf.pdfpdf_icon

AP2318GEN

AP2318GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mAS RoHS CompliantSOT-23 GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extrem

 8.1. Size:59K  ape
ap2318agen-hf.pdfpdf_icon

AP2318GEN

AP2318AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 540mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible on

 8.2. Size:149K  ape
ap2318ben.pdfpdf_icon

AP2318GEN

AP2318BENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 3.0V Gate Drive BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Fast Switching Performance ID 0.53AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2318B series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achiev

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WML22N50C4 | NVMFS5C628N | IRF8313 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.