AP2318GEN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2318GEN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2318GEN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2318GEN даташит

 ..1. Size:148K  ape
 ap2318gen.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318GEN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2318 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve t

 0.1. Size:97K  ape
 ap2318gen-hf.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318GEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mA S RoHS Compliant SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extrem

 8.1. Size:59K  ape
 ap2318agen-hf.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 540mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to G achieve the lowest possible on

 8.2. Size:149K  ape
 ap2318ben.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318BEN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 3.0V Gate Drive BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Fast Switching Performance ID 0.53A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2318B series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3N035N, AP3N045EN, AP3P080N, AP3P090N, AP6N090N, AP6P250N, AP2301EN, AP2314GN, AON7506, AP2320GN, AP6N2K0EN, AP2308GEN, AP2318BEN, AP15TP1R0Y, AP2604GY, AP2615GEY, AP2617GY