Справочник MOSFET. AP2318GEN

 

AP2318GEN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2318GEN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2318GEN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ape
 ap2318gen.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318GENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2318 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t

 0.1. Size:97K  ape
 ap2318gen-hf.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mAS RoHS CompliantSOT-23 GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extrem

 8.1. Size:59K  ape
 ap2318agen-hf.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 540mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible on

 8.2. Size:149K  ape
 ap2318ben.pdf pdf_icon

AP2318GEN

AP2318BENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 3.0V Gate Drive BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Fast Switching Performance ID 0.53AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2318B series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AON7506 , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY .

 

 
Back to Top

 


 
.