Справочник MOSFET. AP2530GY

 

AP2530GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2530GY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2530GY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2530GY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  ape
 ap2530gy.pdf pdf_icon

AP2530GY

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig

 0.1. Size:85K  ape
 ap2530gy-hf.pdf pdf_icon

AP2530GY

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing

 8.1. Size:121K  ape
 ap2530agy-hf.pdf pdf_icon

AP2530GY

AP2530AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced pr

 8.2. Size:225K  ape
 ap2530agy.pdf pdf_icon

AP2530GY

AP2530AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced pr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , STP80NF70 , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 .

History: STB100NF04T4 | AP2309GN | 15N12

 

 
Back to Top

 


 
.