Справочник MOSFET. AP2622GY

 

AP2622GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2622GY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2622GY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  ape
ap2622gy.pdfpdf_icon

AP2622GY

AP2622GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 50VS1D1 Small Package Outline RDS(ON) 1.8G2 Surface Mount Package ID 520mAS2 RoHS Compliant SOT-26 G1DescriptionD1D2AP2622 series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technology to achieve theG1 G2

 0.1. Size:97K  ape
ap2622gy-hf.pdfpdf_icon

AP2622GY

AP2622GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD1 Low Gate Charge D2 BVDSS 50V Small Package Outline RDS(ON) 1.8G1 G2 Surface Mount Package ID 520mA RoHS CompliantS2S1DescriptionD2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toS1achieve the lowest possible on-resistance, extre

 9.1. Size:97K  ape
ap2623gy-hf.pdfpdf_icon

AP2622GY

AP2623GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Low On-resistance RDS(ON) 170mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest poss

 9.2. Size:59K  ape
ap2625gy-hf.pdfpdf_icon

AP2622GY

AP2625GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 185mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.