Справочник MOSFET. AP9922GEO

 

AP9922GEO Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9922GEO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9922GEO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  ape
ap9922geo.pdfpdf_icon

AP9922GEO

AP9922GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low on-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 16mG1S1S1 Optimal DC/DC Battery Application ID 6.4ATSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner wi

 0.1. Size:96K  ape
ap9922geo-hf.pdfpdf_icon

AP9922GEO

AP9922GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low on-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 16mG1S1 Optimal DC/DC Battery Application S1 ID 6.4ATSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner wi

 8.1. Size:57K  ape
ap9922ageo-hf.pdfpdf_icon

AP9922GEO

AP9922AGEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 Low On-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 18mG1S1 Optimal DC/DC Battery Application S1 ID 6ATSSOP-8D1 Halogen Free & RoHS Compliant ProductDescriptionD1 D2AP9922A series are from Advanced Power innovated des

 9.1. Size:60K  ape
ap9926gm-hf.pdfpdf_icon

AP9922GEO

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

Другие MOSFET... AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , AP9938AGEY , AP9926GEO , AP9923GEO , IRF1405 , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH , AP9467AGH , AP9410GH , AP9410AGH .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.