AP9410AGH - описание и поиск аналогов

 

AP9410AGH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9410AGH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9410AGH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9410AGH даташит

 ..1. Size:183K  ape
 ap9410agh.pdf pdf_icon

AP9410AGH

AP9410AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 67A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9410A series are from Advanced Power innovated d

 0.1. Size:95K  ape
 ap9410agh-hf.pdf pdf_icon

AP9410AGH

AP9410AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 67A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching, rugged

 6.1. Size:166K  ape
 ap9410agm.pdf pdf_icon

AP9410AGH

AP9410AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 5.5m D D Fast Switching Characteristic ID 18A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 D Description AP9410A series are from

 6.2. Size:57K  ape
 ap9410agm-hf.pdf pdf_icon

AP9410AGH

AP9410AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 5.5m D D Fast Switching Characteristic ID 18A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH , AP9467AGH , AP9410GH , IRFZ44N , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , AP8N4R2MT , AP8N3R5CMT .

History: ME35N10-G | R6015KNZ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.