AP8N8R0J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP8N8R0J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO251
AP8N8R0J Datasheet (PDF)
ap8n8r0j.pdf
AP8N8R0JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig
ap8n8r0i.pdf
AP8N8R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 46AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig
ap8n8r0mt.pdf
AP8N8R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 80VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8m Lower On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N8R0 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p
ap8n8r0p.pdf
AP8N8R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig
ap8n8r0h.pdf
AP8N8R0HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918