AP8N8R0I - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8N8R0I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8N8R0I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP8N8R0I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N8R0I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  ape
 ap8n8r0i.pdf pdf_icon

AP8N8R0I

AP8N8R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 46AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig

 7.1. Size:160K  ape
 ap8n8r0mt.pdf pdf_icon

AP8N8R0I

AP8N8R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 80VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8m Lower On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N8R0 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

 7.2. Size:203K  ape
 ap8n8r0p.pdf pdf_icon

AP8N8R0I

AP8N8R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig

 7.3. Size:241K  ape
 ap8n8r0h.pdf pdf_icon

AP8N8R0I

AP8N8R0HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9467GH , AP9467AGH , AP9410GH , AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , IRF540 , AP8N8R0H , AP8N4R2MT , AP8N3R5CMT , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT .

History: S-LBSS84ELT1G | NP52N06SLG | SWB060R68E7T

 

 
Back to Top

 


 
.