Справочник MOSFET. AP8600P

 

AP8600P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP8600P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8600P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  ape
 ap8600p.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID3 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova

 8.1. Size:218K  ape
 ap8600s.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID4 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova

 8.2. Size:163K  ape
 ap8600mt.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach

 8.3. Size:319K  ape
 ap8600mt-l.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: UTT25P10 | IRF7420 | NCE70H10F | AO5404E | APT50N60JCCU2 | SI2369DS-T1 | 2SK3025

 

 
Back to Top

 


 
.