Справочник MOSFET. AP8600P

 

AP8600P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP8600P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP8600P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8600P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  ape
 ap8600p.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID3 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova

 8.1. Size:218K  ape
 ap8600s.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID4 105AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP8600 series are from Advanced Power innova

 8.2. Size:163K  ape
 ap8600mt.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach

 8.3. Size:319K  ape
 ap8600mt-l.pdf pdf_icon

AP8600P

AP8600MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 80VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 3.9m Ultra Low On-resistance ID4 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , AP8N4R2MT , AP8N3R5CMT , AP8604CDT , AP8600S , IRF1404 , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , AP80WN2K5I , AP80SL990BJB , AP80SL990BI , AP80SL990BH , AP80SL650AI .

History: JCS9N95WA

 

 
Back to Top

 


 
.