Справочник MOSFET. AP6N3R7MT

 

AP6N3R7MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N3R7MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP6N3R7MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N3R7MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  ape
ap6n3r7mt.pdfpdf_icon

AP6N3R7MT

AP6N3R7MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.7m Ultra Low On-resistance ID4 130A RoHS Compliant & Halogen-Free GDSDDDescriptionDAP6N3R7 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the l

 0.1. Size:320K  ape
ap6n3r7mt-l.pdfpdf_icon

AP6N3R7MT

AP6N3R7MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.75m Ultra Low On-resistance RoHS Compliant & Halogen-Free GDSDDDescriptionDAP6N3R7 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest

 8.1. Size:183K  ape
ap6n3r5i.pdfpdf_icon

AP6N3R7MT

AP6N3R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.58m Low On-resistance ID 72AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N3R5 seriesare fromAdvanced Power innovated design anda

 8.2. Size:205K  ape
ap6n3r8h.pdfpdf_icon

AP6N3R7MT

AP6N3R8HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.8m Fast Switching Characteristic ID5 155AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N3R8 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology to

Другие MOSFET... AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AP6N4R2P , AP6N4R0I , AP6N3R8H , AP6N3R7MT-L , IRF520 , AP6N3R5S , AP6N3R5P , AP6N3R5LIN , AP6N3R5LI , AP6N3R5I , AP6N3R4CMT-L , AP6N3R4CMT , AP6N3R2P .

History: HM2N20 | BL4N65-A | 6N65KG-TF2-T | STD8NM60ND | NVMTS0D4N04CL | AP02N40J-HF | P5015BTF

 

 
Back to Top

 


 
.