Справочник MOSFET. AP6N3R5LIN

 

AP6N3R5LIN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N3R5LIN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2830 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220F-NL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N3R5LIN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  ape
 ap6n3r5lin.pdf pdf_icon

AP6N3R5LIN

AP6N3R5LINHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.5m Ultra Low On-resistance ID 75AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP6N3R5L series are from AdvancedPower innovated desi

 5.1. Size:183K  ape
 ap6n3r5li.pdf pdf_icon

AP6N3R5LIN

AP6N3R5LIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.5m Ultra Low On-resistance ID 75AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP6N3R5L series are from AdvancedPower innovated desig

 7.1. Size:183K  ape
 ap6n3r5i.pdf pdf_icon

AP6N3R5LIN

AP6N3R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.58m Low On-resistance ID 72AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N3R5 seriesare fromAdvanced Power innovated design anda

 7.2. Size:168K  ape
 ap6n3r5p.pdf pdf_icon

AP6N3R5LIN

AP6N3R5PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.58m Low On-resistance ID 130AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N3R5 seriesare fromAdvanced Power innovated design and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FS16KM-6 | STD20NF06T4 | IRF2903ZLPBF | NTMS4802NR2G | FQD7P06 | VBP165R20S | BLF244

 

 
Back to Top

 


 
.