AP65WN2K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP65WN2K3L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.29 Ohm
Тип корпуса: TO126F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP65WN2K3L Datasheet (PDF)
ap65wn2k3l.pdf

AP65WN2K3LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.29 Simple Drive Requirement ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65WN2K3 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe
ap65wn2k3i.pdf

AP65WN2K3IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.29 Simple Drive Requirement ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65WN2K3 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe
ap65wn2k3h.pdf

AP65WN2K3HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.3 Simple Drive Requirement ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65WN2K3 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the lo
ap65wn770i.pdf

AP65WN770IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 650VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.77 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65WN770 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor