IRFI520A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI520A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI520A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI520A даташит

 ..1. Size:215K  1
 irfi520a irfw520a.pdf pdf_icon

IRFI520A

 7.1. Size:178K  international rectifier
 irfi520g.pdf pdf_icon

IRFI520A

 7.2. Size:1017K  international rectifier
 irfi520gpbf.pdf pdf_icon

IRFI520A

PD- 95392 IRFI520GPbF Lead-Free 06/10/04 Document Number 91143 www.vishay.com 1 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 2 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 3 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 4 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 5 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 6 IRFI520GPbF Document Num

 7.3. Size:133K  international rectifier
 irfi520n.pdf pdf_icon

IRFI520A

PD - 9.1362A PRELIMINARY IRFI520N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Isolated Package VDSS = 100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.20 Fully Avalanche Rated G ID = 7.6A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFF9230, IRFI1010N, IRFI1310N, IRFI3205, IRFI3710, IRFI460, IRFI4905, IRFI510A, NCEP15T14, IRFI520N, IRFI5210, IRFI530A, IRFI530N, IRFI540A, IRFI540N, IRFI550A, IRFI610A