Справочник MOSFET. IRFI520A

 

IRFI520A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI520A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IRFI520A

 

 

IRFI520A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  1
 irfi520a irfw520a.pdf

IRFI520A IRFI520A

 7.1. Size:178K  international rectifier
 irfi520g.pdf

IRFI520A IRFI520A

 7.2. Size:1017K  international rectifier
 irfi520gpbf.pdf

IRFI520A IRFI520A

PD- 95392IRFI520GPbF Lead-Free06/10/04Document Number: 91143 www.vishay.com1IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com2IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com3IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com4IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com5IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com6IRFI520GPbFDocument Num

 7.3. Size:133K  international rectifier
 irfi520n.pdf

IRFI520A IRFI520A

PD - 9.1362APRELIMINARY IRFI520NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = 100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.20 Fully Avalanche RatedGID = 7.6ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible

 7.4. Size:1603K  vishay
 irfi520g irfi520gpbf sihfi520g.pdf

IRFI520A IRFI520A

IRFI520G, SiHFI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.27f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 4.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.7 Low Th

 7.5. Size:1601K  vishay
 irfi520g sihfi520g.pdf

IRFI520A IRFI520A

IRFI520G, SiHFI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.27f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 16 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 4.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.7 Low Th

 7.6. Size:275K  inchange semiconductor
 irfi520g.pdf

IRFI520A IRFI520A

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFI510GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.27 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие MOSFET... IRFF9230 , IRFI1010N , IRFI1310N , IRFI3205 , IRFI3710 , IRFI460 , IRFI4905 , IRFI510A , 13N50 , IRFI520N , IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A .

 

 
Back to Top