IRFI520N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI520N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI520N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI520N даташит

 ..1. Size:133K  international rectifier
 irfi520n.pdf pdf_icon

IRFI520N

PD - 9.1362A PRELIMINARY IRFI520N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Isolated Package VDSS = 100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.20 Fully Avalanche Rated G ID = 7.6A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible

 7.1. Size:215K  1
 irfi520a irfw520a.pdf pdf_icon

IRFI520N

 7.2. Size:178K  international rectifier
 irfi520g.pdf pdf_icon

IRFI520N

 7.3. Size:1017K  international rectifier
 irfi520gpbf.pdf pdf_icon

IRFI520N

PD- 95392 IRFI520GPbF Lead-Free 06/10/04 Document Number 91143 www.vishay.com 1 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 2 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 3 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 4 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 5 IRFI520GPbF Document Number 91143 www.vishay.com 6 IRFI520GPbF Document Num

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI1010N, IRFI1310N, IRFI3205, IRFI3710, IRFI460, IRFI4905, IRFI510A, IRFI520A, AON7506, IRFI5210, IRFI530A, IRFI530N, IRFI540A, IRFI540N, IRFI550A, IRFI610A, IRFI614A