Справочник MOSFET. AP65SL190DP

 

AP65SL190DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP65SL190DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65SL190DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ape
ap65sl190dp.pdfpdf_icon

AP65SL190DP

AP65SL190DPHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 4.1. Size:202K  ape
ap65sl190dwl.pdfpdf_icon

AP65SL190DP

AP65SL190DWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible

 4.2. Size:108K  ape
ap65sl190dr.pdfpdf_icon

AP65SL190DP

AP65SL190DRHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest possible

 4.3. Size:217K  ape
ap65sl190di.pdfpdf_icon

AP65SL190DP

AP65SL190DIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SML4040AN | AP4604IN | 2SK1637 | 2SK1471 | STD14NM50N | IRLSZ34A | IRL8113LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.