AP65PN2R6I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP65PN2R6I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP65PN2R6I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65PN2R6I даташит

 ..1. Size:212K  ape
 ap65pn2r6i.pdf pdf_icon

AP65PN2R6I

AP65PN2R6I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

 5.1. Size:91K  ape
 ap65pn2r6l.pdf pdf_icon

AP65PN2R6I

AP65PN2R6L Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

 5.2. Size:198K  ape
 ap65pn2r6h.pdf pdf_icon

AP65PN2R6I

AP65PN2R6H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve the

 5.3. Size:65K  ape
 ap65pn2r6p.pdf pdf_icon

AP65PN2R6I

AP65PN2R6P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP65SL099DR, AP65SL099DI, AP65SL099AWL, AP65SL099AS, AP65SL045AFWL, AP65SL041AWL, AP65PN2R6P, AP65PN2R6L, IRFP450, AP65PN2R6H, AP65PN2R5I, AP65PN1R4P, AP60WN720IN, AP60WN720I, AP60WN650I, AP60WN4K9P, AP60WN4K9J