Справочник MOSFET. AP60WN4K9I

 

AP60WN4K9I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN4K9I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN4K9I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  ape
 ap60wn4k9i.pdf pdf_icon

AP60WN4K9I

AP60WN4K9IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

 5.1. Size:198K  ape
 ap60wn4k9h.pdf pdf_icon

AP60WN4K9I

AP60WN4K9HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 5.2. Size:199K  ape
 ap60wn4k9j.pdf pdf_icon

AP60WN4K9I

AP60WN4K9JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the l

 5.3. Size:135K  ape
 ap60wn4k9k.pdf pdf_icon

AP60WN4K9I

AP60WN4K9KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionSAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconDprocess technology to achieve the lowest possi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HGB012N08A | PDC4801R | IPB65R150CFD | DMTH8012LPSW | IRF3707SPBF | AON6560 | BL25N65-W

 

 
Back to Top

 


 
.