AP60WN4K9I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP60WN4K9I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP60WN4K9I
AP60WN4K9I Datasheet (PDF)
ap60wn4k9i.pdf

AP60WN4K9IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
ap60wn4k9h.pdf

AP60WN4K9HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on
ap60wn4k9j.pdf

AP60WN4K9JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the l
ap60wn4k9k.pdf

AP60WN4K9KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionSAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconDprocess technology to achieve the lowest possi
Другие MOSFET... AP65PN2R6H , AP65PN2R5I , AP65PN1R4P , AP60WN720IN , AP60WN720I , AP60WN650I , AP60WN4K9P , AP60WN4K9J , 13N50 , AP60WN4K9H , AP60WN4K5I , AP60WN4K5H , AP60WN2K3I , AP60WN2K3H , AP60WN2K1J , AP60WN2K1I , AP60WN2K1H .
History: R6007KNX | STL140N4LLF5 | HY1N60D | AP60WN4K9P | AP9971GH | PH7030AL | STL13NM60N
History: R6007KNX | STL140N4LLF5 | HY1N60D | AP60WN4K9P | AP9971GH | PH7030AL | STL13NM60N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet