AP60WN4K5I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP60WN4K5I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP60WN4K5I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN4K5I даташит

 ..1. Size:60K  ape
 ap60wn4k5i.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

 5.1. Size:59K  ape
 ap60wn4k5h.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K5H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K5 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible on

 6.1. Size:198K  ape
 ap60wn4k9h.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K9H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K9 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible on

 6.2. Size:212K  ape
 ap60wn4k9i.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K9I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K9 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP65PN1R4P, AP60WN720IN, AP60WN720I, AP60WN650I, AP60WN4K9P, AP60WN4K9J, AP60WN4K9I, AP60WN4K9H, SI2302, AP60WN4K5H, AP60WN2K3I, AP60WN2K3H, AP60WN2K1J, AP60WN2K1I, AP60WN2K1H, AP60WN1K5J, AP60WN1K5I