Справочник MOSFET. AP60WN4K5I

 

AP60WN4K5I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN4K5I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN4K5I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
 ap60wn4k5i.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

 5.1. Size:59K  ape
 ap60wn4k5h.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K5HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K5 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 6.1. Size:198K  ape
 ap60wn4k9h.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K9HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 6.2. Size:212K  ape
 ap60wn4k9i.pdf pdf_icon

AP60WN4K5I

AP60WN4K9IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXM64P02X | SIHG47N60S | NTMFD5C674NLT1G | 9N95 | IPD40DP06NM | IPD090N03LGE8177 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.