AP60WN4K5H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP60WN4K5H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP60WN4K5H
AP60WN4K5H Datasheet (PDF)
ap60wn4k5h.pdf

AP60WN4K5HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K5 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on
ap60wn4k5i.pdf

AP60WN4K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
ap60wn4k9h.pdf

AP60WN4K9HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on
ap60wn4k9i.pdf

AP60WN4K9IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
Другие MOSFET... AP60WN720IN , AP60WN720I , AP60WN650I , AP60WN4K9P , AP60WN4K9J , AP60WN4K9I , AP60WN4K9H , AP60WN4K5I , 7N60 , AP60WN2K3I , AP60WN2K3H , AP60WN2K1J , AP60WN2K1I , AP60WN2K1H , AP60WN1K5J , AP60WN1K5I , AP60WN1K5H .
History: AP60SL150AP | AFN4134 | IXFV20N80P
History: AP60SL150AP | AFN4134 | IXFV20N80P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080