Справочник MOSFET. AP60WN2K1H

 

AP60WN2K1H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN2K1H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.07 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP60WN2K1H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN2K1H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ape
ap60wn2k1h.pdfpdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K1HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN2K1 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible o

 5.1. Size:199K  ape
ap60wn2k1j.pdfpdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K1JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN2K1 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the

 5.2. Size:213K  ape
ap60wn2k1i.pdfpdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K1IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN2K1 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r

 6.1. Size:176K  ape
ap60wn2k3i.pdfpdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K3IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.37 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN2K3 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r

Другие MOSFET... AP60WN4K9I , AP60WN4K9H , AP60WN4K5I , AP60WN4K5H , AP60WN2K3I , AP60WN2K3H , AP60WN2K1J , AP60WN2K1I , IRF2807 , AP60WN1K5J , AP60WN1K5I , AP60WN1K5H , AP60WN1K2J , AP60WN1K2IN , AP60WN1K2H , AP60SL650AFI , AP60SL650AFH .

History: 5N65G-TN3-R | FDMA86108LZ | AOI600A60 | CJP10N65

 

 
Back to Top

 


 
.