AP60WN2K1H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP60WN2K1H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.07 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP60WN2K1H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN2K1H даташит

 ..1. Size:198K  ape
 ap60wn2k1h.pdf pdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K1H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN2K1 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible o

 5.1. Size:199K  ape
 ap60wn2k1j.pdf pdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K1J Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP60WN2K1 series are from the innovated design and silicon D S TO-251(J) process technology to achieve the

 5.2. Size:213K  ape
 ap60wn2k1i.pdf pdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K1I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN2K1 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 6.1. Size:176K  ape
 ap60wn2k3i.pdf pdf_icon

AP60WN2K1H

AP60WN2K3I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.37 Fast Switching Characteristic ID3 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN2K3 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP60WN4K9I, AP60WN4K9H, AP60WN4K5I, AP60WN4K5H, AP60WN2K3I, AP60WN2K3H, AP60WN2K1J, AP60WN2K1I, STF13NM60N, AP60WN1K5J, AP60WN1K5I, AP60WN1K5H, AP60WN1K2J, AP60WN1K2IN, AP60WN1K2H, AP60SL650AFI, AP60SL650AFH