Справочник MOSFET. AP60WN1K2J

 

AP60WN1K2J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN1K2J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN1K2J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap60wn1k2j.pdf pdf_icon

AP60WN1K2J

AP60WN1K2JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the l

 5.1. Size:59K  ape
 ap60wn1k2h.pdf pdf_icon

AP60WN1K2J

AP60WN1K2HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 5.2. Size:211K  ape
 ap60wn1k2in.pdf pdf_icon

AP60WN1K2J

AP60WN1K2INHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r

 6.1. Size:161K  ape
 ap60wn1k5j.pdf pdf_icon

AP60WN1K2J

AP60WN1K5JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN1K5 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AUIRFP4409 | BF964S | UPA2732T1A | BSC032N03SG | FMI16N50E | SUM23N15-73 | 2SK2938L

 

 
Back to Top

 


 
.