AP60AN750I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP60AN750I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP60AN750I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60AN750I даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap60an750i.pdf pdf_icon

AP60AN750I

AP60AN750I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60AN750 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-

 0.1. Size:60K  ape
 ap60an750in.pdf pdf_icon

AP60AN750I

AP60AN750IN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60AN750 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on

Другие IGBT... AP60SL280AI, AP60SL150AR, AP60SL150AP, AP60SL150AI, AP60SL115AI, AP60N2R5J, AP60N2R5IN, AP60AN750IN, IRF730, AP5602P, AP55T10GR, AP55T10GP, AP55T10GI, AP55T10GH, AP55T06GI, AP50WN750P, AP50WN750I