Справочник MOSFET. AP60AN750I

 

AP60AN750I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60AN750I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP60AN750I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60AN750I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap60an750i.pdf pdf_icon

AP60AN750I

AP60AN750IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60AN750 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

 0.1. Size:60K  ape
 ap60an750in.pdf pdf_icon

AP60AN750I

AP60AN750INHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60AN750 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on

Другие MOSFET... AP60SL280AI , AP60SL150AR , AP60SL150AP , AP60SL150AI , AP60SL115AI , AP60N2R5J , AP60N2R5IN , AP60AN750IN , BS170 , AP5602P , AP55T10GR , AP55T10GP , AP55T10GI , AP55T10GH , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.