Справочник MOSFET. AP50WN650I

 

AP50WN650I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50WN650I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50WN650I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
ap50wn650i.pdfpdf_icon

AP50WN650I

AP50WN650IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.65 Fast Switching Characteristic ID3 11AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN650 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

 8.1. Size:60K  ape
ap50wn520p.pdfpdf_icon

AP50WN650I

AP50WN520PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID3 12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN520 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

 8.2. Size:176K  ape
ap50wn1k5i.pdfpdf_icon

AP50WN650I

AP50WN1K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN1K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r

 8.3. Size:60K  ape
ap50wn520i.pdfpdf_icon

AP50WN650I

AP50WN520IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID3 12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN520 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

Другие MOSFET... AP5602P , AP55T10GR , AP55T10GP , AP55T10GI , AP55T10GH , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I , IRFP460 , AP50WN520P , AP50WN520I , AP50WN270W , AP50WN270IN , AP50WN270I , AP50WN1K5P , AP50WN1K5I , AP50WN1K5H .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.