AP50WN1K5I datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP50WN1K5I 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
Тип корпуса: TO220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP50WN1K5I
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP50WN1K5I даташит
ap50wn1k5i.pdf
AP50WN1K5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r
ap50wn1k5h.pdf
AP50WN1K5H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible o
ap50wn1k5p.pdf
AP50WN1K5P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r
ap50wn1k0i.pdf
AP50WN1K0I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.03 Fast Switching Characteristic ID3 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K0 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r
Другие IGBT... AP50WN750I, AP50WN650I, AP50WN520P, AP50WN520I, AP50WN270W, AP50WN270IN, AP50WN270I, AP50WN1K5P, IRFP260N, AP50WN1K5H, AP50WN1K0I, AP50WN1K0H, AP50T10GS, AP50T10GP, AP50T10GJ, AP50T10GI, AP50T10GH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики





