AP50T10GS datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP50T10GS 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP50T10GS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP50T10GS даташит
ap50t10gs.pdf
AP50T10GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 37A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest
ap50t10gs-hf.pdf
AP50T10GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 37A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D rug
ap50t10gm-hf.pdf
AP50T10GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 6.5A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,
ap50t10gi-hf.pdf
AP50T10GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 21.8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz
Другие IGBT... AP50WN270W, AP50WN270IN, AP50WN270I, AP50WN1K5P, AP50WN1K5I, AP50WN1K5H, AP50WN1K0I, AP50WN1K0H, 10N60, AP50T10GP, AP50T10GJ, AP50T10GI, AP50T10GH, AP50T10AGI, AP50SL290DH, AP50PN520R, AP4P052J
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527












