Справочник MOSFET. AP50T10GS

 

AP50T10GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50T10GS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50T10GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  ape
 ap50t10gs.pdf pdf_icon

AP50T10GS

AP50T10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 37AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50T10 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest

 0.1. Size:94K  ape
 ap50t10gs-hf.pdf pdf_icon

AP50T10GS

AP50T10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 37AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDrug

 6.1. Size:94K  ape
 ap50t10gm-hf.pdf pdf_icon

AP50T10GS

AP50T10GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 6.5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 6.2. Size:58K  ape
 ap50t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP50T10GS

AP50T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 21.8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP3306A | IRF3711ZS | IPD50R280CE | 2SJ104 | SPD02N50C3 | NDT6N70 | TK15A60U

 

 
Back to Top

 


 
.