Справочник MOSFET. AP4N3R2I

 

AP4N3R2I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP4N3R2I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для AP4N3R2I

 

 

AP4N3R2I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  ape
ap4n3r2i.pdf

AP4N3R2I
AP4N3R2I

AP4N3R2IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.2m Fast Switching Characteristic ID 75AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are fromAdvanced Powerinnovated designAP4N3R2 series arefrom AdvancedPower innovate

 7.1. Size:66K  ape
ap4n3r2mt.pdf

AP4N3R2I
AP4N3R2I

AP4N3R2MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 40VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.2m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP4N3R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 8.1. Size:242K  ape
ap4n3r6h.pdf

AP4N3R2I
AP4N3R2I

AP4N3R6HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.6m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP4N3R6 seriesare fromAdvanced Power innovated d

 8.2. Size:203K  ape
ap4n3r6p.pdf

AP4N3R2I
AP4N3R2I

AP4N3R6PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.6m Fast Switching Characteristic ID 125AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP4N3R6 seriesare fromAdvanced Power innova

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top