Справочник MOSFET. AP4N2R6S

 

AP4N2R6S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4N2R6S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N2R6S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ape
 ap4n2r6s.pdf pdf_icon

AP4N2R6S

AP4N2R6SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 2.6m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP4N2R6 seriesare fromAdvanced Power innovated desi

 7.1. Size:162K  ape
 ap4n2r6amt.pdf pdf_icon

AP4N2R6S

AP4N2R6AMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 40VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.6m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP4N2R6A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest

 7.2. Size:111K  ape
 ap4n2r6p.pdf pdf_icon

AP4N2R6S

AP4N2R6PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 2.6m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP4N2R6 seriesare fromAdvanced Power innovated desi

 7.3. Size:242K  ape
 ap4n2r6h.pdf pdf_icon

AP4N2R6S

AP4N2R6HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 2.6m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP4N2R6 seriesare fromAdvanced Power innovated d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RRR030P03 | PHP23NQ11T | STP5NB40 | IRFU9210PBF | LSG65R650HT | SWHA15P02 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.