AP4618CDT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4618CDT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4618CDT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4618CDT даташит

 ..1. Size:137K  ape
 ap4618cdt.pdf pdf_icon

AP4618CDT

AP4618CDT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 40V D 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.1m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description PDFN 5x6 D D D D AP4618C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

 9.1. Size:206K  ape
 ap4610p.pdf pdf_icon

AP4618CDT

AP4610P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 2.5m Fast Switching Characteristic G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series are from Advanced Power innovated design AP4610 series are from Advanced Power innovated des

 9.2. Size:3388K  allpower
 ap4616.pdf pdf_icon

AP4618CDT

Другие IGBT... AP4N2R6J, AP4N2R6H, AP4N2R6AMT, AP4N1R8CMT-A, AP4N1R1CDT-A, AP4820AGYT, AP4804MT, AP4800N2, CS150N03A8, AP4610P, AP4608S, AP4608P, AP4606P, AP4604P, AP4604IN, AP4604I, AP4604AI