AP4409GEP - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4409GEP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4409GEP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP4409GEP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4409GEP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  ape
 ap4409gep.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409GEP-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2mG Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4409 series are from Advanced Power innovat

 0.1. Size:122K  ape
 ap4409gep-hf.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409GEP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2mG Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4409 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowe

 6.1. Size:184K  ape
 ap4409gem.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409GEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -35VDDD Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device

 8.1. Size:182K  ape
 ap4409agem.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409AGEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -35VDDD Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4604I , AP4604AI , AP4563GH , AP4563AGH , AP4455GYT , AP4453H , AP4453GYT , AP4438GYT , IRFZ46N , AP4036AGYT , AP4034GH , AP4028GEMT , AP4028EYT , AP4028EJB , AP4028EH , AP4024GEMT , AP4024EYT .

History: H2N60U | FTK12N10S | IXFT30N50P | VBMB1203M | SVG103R9NS

 

 
Back to Top

 


 
.