AP4409GEP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4409GEP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4409GEP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4409GEP даташит

 ..1. Size:155K  ape
 ap4409gep.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409GEP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m G Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4409 series are from Advanced Power innovat

 0.1. Size:122K  ape
 ap4409gep-hf.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409GEP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m G Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4409 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 6.1. Size:184K  ape
 ap4409gem.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409GEM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D D Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 8.1. Size:182K  ape
 ap4409agem.pdf pdf_icon

AP4409GEP

AP4409AGEM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D D Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4604I, AP4604AI, AP4563GH, AP4563AGH, AP4455GYT, AP4453H, AP4453GYT, AP4438GYT, SI2302, AP4036AGYT, AP4034GH, AP4028GEMT, AP4028EYT, AP4028EJB, AP4028EH, AP4024GEMT, AP4024EYT