AP4034GH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4034GH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4034GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4034GH даташит

 ..1. Size:186K  ape
ap4034gh.pdfpdf_icon

AP4034GH

AP4034GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 41A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4034 series are from Advanced Power innovated des

 0.1. Size:57K  ape
ap4034gh-hf.pdfpdf_icon

AP4034GH

AP4034GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 41A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4034 series are from Advanced Power innovated design and G D silicon process technology to achieve the lowes

 7.1. Size:75K  1
ap4034gyt-hf.pdfpdf_icon

AP4034GH

Advanced Power Electronics Corp. AP4034GYT-HF-3 N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Simple Drive Requirement D BV 30V Good Thermal Performance DSS G Low On-resistance RDS(ON) 9m RoHS-compliant, halogen-free ID 15.5A S Description D D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

 7.2. Size:96K  ape
ap4034gm-hf.pdfpdf_icon

AP4034GH

AP4034GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID 13A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast

Другие IGBT... AP4563GH, AP4563AGH, AP4455GYT, AP4453H, AP4453GYT, AP4438GYT, AP4409GEP, AP4036AGYT, 18N50, AP4028GEMT, AP4028EYT, AP4028EJB, AP4028EH, AP4024GEMT, AP4024EYT, AP4024EJB, AP4024EH