Справочник MOSFET. AP4034GH

 

AP4034GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4034GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4034GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ape
ap4034gh.pdfpdf_icon

AP4034GH

AP4034GH-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 41AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4034 series are from Advanced Power innovated des

 0.1. Size:57K  ape
ap4034gh-hf.pdfpdf_icon

AP4034GH

AP4034GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID 41AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4034 series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the lowes

 7.1. Size:75K  1
ap4034gyt-hf.pdfpdf_icon

AP4034GH

Advanced Power Electronics Corp.AP4034GYT-HF-3N-channel Enhancement-mode Power MOSFETSimple Drive RequirementDBV 30VGood Thermal PerformanceDSSGLow On-resistance RDS(ON) 9mRoHS-compliant, halogen-free ID 15.5ASDescriptionDDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withDthe best combination of fast switching, ruggedized device design,low on

 7.2. Size:96K  ape
ap4034gm-hf.pdfpdf_icon

AP4034GH

AP4034GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID 13AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N7281

 

 
Back to Top

 


 
.