AP3P9R0I datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP3P9R0I 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP3P9R0I
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP3P9R0I даташит
ap3p9r0i.pdf
AP3P9R0I Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest poss
ap3p9r0p.pdf
AP3P9R0P Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest pos
ap3p9r0h.pdf
AP3P9R0H Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve the lowe
ap3p9r0jb.pdf
AP3P9R0JB Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po
Другие IGBT... AP4028EH, AP4024GEMT, AP4024EYT, AP4024EJB, AP4024EH, AP3R604GMT-L, AP3R303GMT-L, AP3R303GMT, STP65NF06, AP3N1R7CYT, AP3P2R2CDT, AP3NR68CDT, AP2604CDT, AP3P010YT, AP3N018EYT, AP3C030YT, AP3800YT
History: DSB150N10L3 | F25N10 | PD0903BV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a






