IRFI634A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI634A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI634A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI634A даташит

 ..1. Size:214K  1
 irfi634a irfw634a.pdf pdf_icon

IRFI634A

 7.1. Size:283K  international rectifier
 irfi634g.pdf pdf_icon

IRFI634A

PD - 95608 IRFI634GPbF Lead-Free 7/29/04 Document Number 91149 www.vishay.com 1 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 2 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 3 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 4 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 5 IRFI634GPbF Document Number 91149 www.vishay.com 6 IRFI634GPbF TO-220 Full-

 7.2. Size:1106K  vishay
 irfi634g sihfi634g.pdf pdf_icon

IRFI634A

IRFI634G, SiHFI634G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.45 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 41 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 6.5 Dynamic dV/dt Rating Low Thermal Resistance Qgd (nC) 22 Lead (Pb)-fre

 8.1. Size:215K  1
 irfi630a irfw630a.pdf pdf_icon

IRFI634A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI614A, IRFI614G, IRFI620A, IRFI620G, IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G, 20N50, IRFI634G, IRFI640A, IRFI640G, IRFI644A, IRFI644G, IRFI710A, IRFI720A, IRFI720G