AP3P7R0EMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP3P7R0EMT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PMPAK5X6
Аналог (замена) для AP3P7R0EMT
AP3P7R0EMT Datasheet (PDF)
ap3p7r0emt.pdf

AP3P7R0EMTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID -75AG RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDDescriptionDDAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technolo
ap3p7r0em.pdf

AP3P7R0EMHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mG Ultra Low On-resistance ID3 -15.5A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescriptionDDAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andDDsilicon process technology t
ap3p7r0eh.pdf

AP3P7R0EHHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mG Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescriptionAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve
ap3p7r0es.pdf

AP3P7R0ESHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mG Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescriptionAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve
Другие MOSFET... AP3800YT , AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AO4468 , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent