AP3P7R0EMT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP3P7R0EMT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PMPAK5X6
Аналог (замена) для AP3P7R0EMT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP3P7R0EMT даташит
ap3p7r0emt.pdf
AP3P7R0EMT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID -75A G RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S D Description D D AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technolo
ap3p7r0em.pdf
AP3P7R0EM Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Ultra Low On-resistance ID3 -15.5A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description D D AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and D D silicon process technology t
ap3p7r0eh.pdf
AP3P7R0EH Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve
ap3p7r0es.pdf
AP3P7R0ES Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve
Другие MOSFET... AP3800YT , AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , 60N06 , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent







