AP3N1R8MT - описание и поиск аналогов

 

AP3N1R8MT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3N1R8MT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00189 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP3N1R8MT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N1R8MT даташит

 ..1. Size:68K  1
ap3n1r8mt.pdfpdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the

 ..2. Size:163K  ape
ap3n1r8mt.pdfpdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the

 0.1. Size:319K  ape
ap3n1r8mt-l.pdfpdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8MT-L Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 7.1. Size:205K  ape
ap3n1r8p.pdfpdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Fast Switching Characteristic ID4 120A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP3N1R8 seriesare fromAdvanced Power innovated

Другие MOSFET... AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , IRF540 , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , AP3D5R0MT , AP3C023AMT , AP3A010MT , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT .

History: RW1E025RP | WMR07P03TS | AP3C023AMT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.