Справочник MOSFET. AP3N1R8MT

 

AP3N1R8MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N1R8MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00189 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3N1R8MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N1R8MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  1
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the

 ..2. Size:163K  ape
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the

 0.1. Size:319K  ape
 ap3n1r8mt-l.pdf pdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve th

 7.1. Size:205K  ape
 ap3n1r8p.pdf pdf_icon

AP3N1R8MT

AP3N1R8PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Fast Switching Characteristic ID4 120AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N1R8 seriesare fromAdvanced Power innovated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , IRF540N , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , AP3D5R0MT , AP3C023AMT , AP3A010MT , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT .

History: NX7002BK | IPT026N10N5 | STF25NM60ND

 

 
Back to Top

 


 
.