Справочник MOSFET. AP2602MT

 

AP2602MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2602MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP2602MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2602MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ape
ap2602mt.pdfpdf_icon

AP2602MT

AP2602MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 25VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 0.99m Ultra Low On-resistance ID4 260AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP2602 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ac

 8.1. Size:60K  ape
ap2602gy-hf.pdfpdf_icon

AP2602MT

AP2602GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VDD Lower On-resistance RDS(ON) 34mG Surface Mount Package ID 6.3AD RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 DDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible o

 8.2. Size:88K  ape
ap2602gy.pdfpdf_icon

AP2602MT

AP2602GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VSD Lower on-resistance RDS(ON) 34mD Surface mount package ID 6.3AGDSOT-26 DDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficien

 9.1. Size:95K  ape
ap2607agy-hf.pdfpdf_icon

AP2602MT

AP2607AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible

Другие MOSFET... AP3N1R0MT , AP3D5R0MT , AP3C023AMT , AP3A010MT , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT , AP2606CMT , IRF3710 , AP1A003GMT , AP10TN5R5MT , AP10TN5R5LMT , AP10TN028MT , AP10TN012LMT , AP10TN010CMT , AP10TN008CMT , AP10TN004LCMT .

History: IXFR64N60P

 

 
Back to Top

 


 
.