AP3N4R0P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP3N4R0P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP3N4R0P
AP3N4R0P Datasheet (PDF)
ap3n4r0p.pdf

AP3N4R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designand
ap3n4r0h.pdf

AP3N4R0HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designG
ap3n4r0s.pdf

AP3N4R0SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designand
ap3n4r0j.pdf

AP3N4R0JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSGDescriptionDSTO-251(J)AP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R0 seriesare fromAdvanced Power i
Другие MOSFET... AP0904GMT , AP0704GMT , AP0504GMT , AP0203GMT , AP3N2R2MT-L , AP10TN008CMT-L , AP0203GMT-L , AP3P7R0EP , 5N60 , AP3N2R8P , AP3N1R8P , AP3N020P , AP3P7R0EI , AP3N4R0J , AP3P7R0EJB , AP3P7R0EH , AP3P050H .
History: HGD098N10AL | 2SK1727 | AOD4128 | SQJB80EP | AOD5N40 | AUIRF1405 | FQP10N20CTSTU
History: HGD098N10AL | 2SK1727 | AOD4128 | SQJB80EP | AOD5N40 | AUIRF1405 | FQP10N20CTSTU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968