Справочник MOSFET. AP20WN170J

 

AP20WN170J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP20WN170J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP20WN170J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  ape
 ap20wn170j.pdf pdf_icon

AP20WN170J

AP20WN170JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Lower Gate Charge ID4 18AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are are Advanced Power innovated designAP20WN170 series from from Advanced Power innovated desig

 5.1. Size:205K  ape
 ap20wn170h.pdf pdf_icon

AP20WN170J

AP20WN170HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Lower Gate Charge ID4 18AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are are Advanced Power innovated designAP20WN170 series from from Advanced Power innovated desig

 5.2. Size:167K  ape
 ap20wn170p.pdf pdf_icon

AP20WN170J

AP20WN170PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Lower Gate Charge ID4 18AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are are Advanced Power innovated designAP20WN170 series from from Advanced Power innovated desig

 5.3. Size:182K  ape
 ap20wn170i.pdf pdf_icon

AP20WN170J

AP20WN170IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 170m Lower Gate Charge ID4 18AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are are Advanced Power innovated designAP20WN170 series from from Advanced Power innovated desig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CEM6861 | IRFY9240CM | NTD4860N-1G | STU670S | 2SK2821 | SFF230Z | SSF13N50

 

 
Back to Top

 


 
.