AP18P10AGJ - описание и поиск аналогов

 

AP18P10AGJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP18P10AGJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP18P10AGJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18P10AGJ даташит

 ..1. Size:165K  ape
ap18p10agj.pdfpdf_icon

AP18P10AGJ

AP18P10AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 140m Fast Switching Characteristic ID -12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching

 5.1. Size:200K  ape
ap18p10agh.pdfpdf_icon

AP18P10AGJ

AP18P10AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 140m Fast Switching Characteristic ID -12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching

 5.2. Size:65K  ape
ap18p10aghj-hf.pdfpdf_icon

AP18P10AGJ

AP18P10AGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 140m Fast Switching Characteristic ID -12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching

 7.1. Size:174K  ape
ap18p10gh.pdfpdf_icon

AP18P10AGJ

AP18P10GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized device design, low on-r

Другие MOSFET... AP2904EC4 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H , AP20T15GI , AP1A003P , 20N50 , AP18P10AGH , AP16T10GH , AP15T15GH , AP15P10GI , AP14SL50W , AP14SL50I , AP14SL50H , AP13N50R .

History: MS48P25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.